2025年6月27日，青島思銳智能半導(dǎo)體先進(jìn)裝備研發(fā)制造中心落成投產(chǎn)活動(dòng)在青島自貿(mào)片區(qū)舉行。作為2024年度和2025年度連續(xù)兩個(gè)年度的山東省重大項(xiàng)目及青島市重點(diǎn)項(xiàng)目，思銳智能半導(dǎo)體先進(jìn)裝備研發(fā)制造中心由思銳智能與青島城投集團(tuán)聯(lián)合打造。
項(xiàng)目總占地約95畝，總建筑面積達(dá)8.6萬(wàn)平方米，計(jì)劃投資超12億元，聚焦原子層沉積鍍膜（ALD）和離子注入機(jī)（IMP）兩大核心半導(dǎo)體前道設(shè)備的研發(fā)與量產(chǎn)。該中心的投產(chǎn)填補(bǔ)了青島市在半導(dǎo)體核心裝備領(lǐng)域的空白，標(biāo)志著青島在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新和高端裝備制造領(lǐng)域邁出重要一步。
思銳智能是目前國(guó)內(nèi)唯一一家同時(shí)提供離子注入機(jī)和原子層沉積設(shè)備并實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)自主突破的高科技企業(yè)。項(xiàng)目從建設(shè)到投產(chǎn)僅用一年時(shí)間，展現(xiàn)了龍頭企業(yè)的責(zé)任與擔(dān)當(dāng)，進(jìn)一步完善了青島市集成電路產(chǎn)業(yè)鏈布局，對(duì)產(chǎn)業(yè)升級(jí)具有重要的示范引領(lǐng)作用。
青島思銳智能科技股份有限公司董事長(zhǎng)聶翔表示，思銳智能半導(dǎo)體先進(jìn)裝備研發(fā)制造中心不僅是一座年產(chǎn)百臺(tái)設(shè)備的生產(chǎn)基地，更是構(gòu)建"技術(shù)-制造-生態(tài)"閉環(huán)的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。公司將依托該中心加速突破ALD、IMP等關(guān)鍵技術(shù)瓶頸，深化在集成電路、功率化合物等領(lǐng)域的布局。同時(shí)，思銳智能將持續(xù)加大研發(fā)投入，深化與政府、高校及海外機(jī)構(gòu)的合作，打造全球領(lǐng)先的研發(fā)驗(yàn)證平臺(tái)和人才聚集區(qū)，助力中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控。
青島思銳智能科技股份有限公司由中國(guó)中車(chē)集團(tuán)及旗下基金通過(guò)深度“產(chǎn)融結(jié)合”的方式聯(lián)合發(fā)起設(shè)立，注冊(cè)資本11億元。主要聚焦關(guān)鍵半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，解決集成電路裝備“卡脖子”問(wèn)題，提供具有自主可控的核心關(guān)鍵技術(shù)的系統(tǒng)裝備產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)方案。主要業(yè)務(wù)包括原子層沉積（ALD）設(shè)備及離子注入（IMP）設(shè)備，廣泛應(yīng)用于集成電路、以功率與化合物為代表的第三代半導(dǎo)體、新能源、光學(xué)、生物醫(yī)學(xué)等諸多高精尖領(lǐng)域。
2018年9月，思銳智能完成對(duì)ALD技術(shù)發(fā)源地—芬蘭倍耐克公司100%股權(quán)的收購(gòu)工作。思銳智能及子公司BENEQ在全球擁有近480余項(xiàng)專(zhuān)利，在ALD和IMP技術(shù)及應(yīng)用方面具備雄厚的技術(shù)積累，是中國(guó)國(guó)內(nèi)極少擁有全球客戶(hù)拓展能力的中高端半導(dǎo)體裝備生產(chǎn)制造商，業(yè)務(wù)范圍覆蓋全球40個(gè)國(guó)家及地區(qū)，累計(jì)超過(guò)500個(gè)全球客戶(hù)。
思銳智能項(xiàng)目的落地進(jìn)一步增強(qiáng)了青島自貿(mào)片區(qū)在半導(dǎo)體高端裝備領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力，為青島打造“中國(guó)芯谷”注入新動(dòng)能。未來(lái)，青島自貿(mào)片區(qū)將持續(xù)優(yōu)化營(yíng)商環(huán)境，支持企業(yè)創(chuàng)新發(fā)展，推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)更高質(zhì)量、更高水平的發(fā)展。
