12月2日上午，晶湛半導(dǎo)體總部大樓建設(shè)項(xiàng)目奠基儀式在蘇州納米城舉行。
晶湛半導(dǎo)體致力于為高端光電、電力電子、微波射頻等領(lǐng)域提供高品質(zhì)氮化鎵外延材料解決方案，是園區(qū)自主培育、國(guó)內(nèi)首屈一指的第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延材料領(lǐng)軍企業(yè)。自2012年成立后，公司于2014年便率先在全球發(fā)布商用8英寸硅基氮化鎵外延片。十多年來(lái)，公司堅(jiān)持加大研發(fā)投入、持續(xù)推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新，目前已與全球數(shù)百家知名半導(dǎo)體科技企業(yè)、高校科研院所建立緊密合作關(guān)系，榮獲各級(jí)組織獎(jiǎng)勵(lì)數(shù)十項(xiàng)，多次在行業(yè)頂級(jí)期刊Nature、國(guó)際頂級(jí)會(huì)議IEDM上發(fā)布創(chuàng)新成果，申請(qǐng)專利近400項(xiàng)，授權(quán)近百項(xiàng)。今年9月，晶湛全球首發(fā)12英寸硅基電力電子氮化鎵外延片，其核心技術(shù)填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白，贏得了業(yè)內(nèi)廣泛關(guān)注。
據(jù)悉，晶湛半導(dǎo)體總部大樓位于納米城E地塊，百川街西，南蕩田巷北，廠房占地面積10999.92平方米，總建筑面積23443.27平方米。建成后，將成為國(guó)內(nèi)規(guī)模最大的GaN電力電子材料、射頻材料和微顯示材料的生產(chǎn)基地。
2006年，園區(qū)就搶抓機(jī)遇前瞻布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。經(jīng)“十年磨一劍”精耕細(xì)作，園區(qū)引進(jìn)了中科院蘇州納米所等一批“國(guó)字號(hào)”科研院所，集聚了全國(guó)80%的氮化鎵國(guó)家級(jí)重點(diǎn)人才，參與了全國(guó)60%的氮化鎵國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)制定，突破了一系列“卡脖子”技術(shù)，已成為國(guó)內(nèi)最具影響力的第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)高地。今年3月，園區(qū)獲批建設(shè)國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心，為進(jìn)一步聚力創(chuàng)新、推進(jìn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展增添了強(qiáng)大動(dòng)力。
