10月25日上午，第五屆全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會議在蘇州工業(yè)園區(qū)拉開序幕。
大會為期三天，將圍繞材料生長、分析表征、相關(guān)裝備技術(shù)，以及寬禁帶半導(dǎo)體在光電子、功率電子的應(yīng)用，在前沿交叉領(lǐng)域的進展等主題展開交流探討，推動寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的學(xué)術(shù)研究、技術(shù)進步、產(chǎn)業(yè)發(fā)展，賦能第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。
大會吸引了來自科研院所、高校、行業(yè)領(lǐng)域相關(guān)企業(yè)的近700位專家、學(xué)者參會。中國科學(xué)院院士、北京大學(xué)教授甘子釗，中國科學(xué)院院士、南京大學(xué)教授鄭有炓，中國科學(xué)院院士、國家自然科學(xué)基金委信息學(xué)部主任、國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）主任郝躍，中國科學(xué)院院士、南昌大學(xué)教授江風(fēng)益等參加會議。
郝躍在致辭中指出，當(dāng)前正值全球半導(dǎo)體格局重塑的關(guān)鍵時期，而寬禁帶半導(dǎo)體正成為全球高技術(shù)競爭戰(zhàn)略制高點之一，也是國際半導(dǎo)體材料及設(shè)備領(lǐng)域研究和發(fā)展的熱點。通過此次大會，全國各地寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的專家、學(xué)者和業(yè)界代表齊聚一堂，共同探討科學(xué)技術(shù)和產(chǎn)業(yè)方向，將有力促進寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)交流和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會議由中國電子學(xué)會和中國有色金屬學(xué)會共同主辦，每兩年一屆，迄今已在蘇州、西寧、西安、廈門舉辦四屆，會議規(guī)模和影響力不斷增強，已成為國內(nèi)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的學(xué)術(shù)盛會。
本屆大會由蘇州實驗室、國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）、中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所共同承辦。大會在短短兩周內(nèi)收到300余份摘要，經(jīng)組委會討論，共推選出11個大會報告，在四個主題方向上共選出63個分會特邀報告，87個口頭報告，現(xiàn)場還有120個張貼報告，將聚焦寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)W術(shù)與產(chǎn)業(yè)方向，展開深入交流。
在大會報告環(huán)節(jié)，相關(guān)專家圍繞《寬禁帶半導(dǎo)體光電子器件》《深紫外LED研究進展》《氮化鎵晶體的生長、缺陷與性能》等主題展開分享。大會分會場則圍繞“材料生長、表征與裝備”、“光電子器件與應(yīng)用”、“功率電子器件與應(yīng)用”、“超寬禁帶半導(dǎo)體與前沿交叉”等內(nèi)容進行探討。
作為國內(nèi)較早布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的區(qū)域，園區(qū)近年來推出“組合拳”舉措，持續(xù)提高在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的科技創(chuàng)新能力，擴大國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心蘇州平臺的行業(yè)影響力。今年以來，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）的建設(shè)穩(wěn)步推進，在體制機制建設(shè)、關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)、高層次人才引進、重大公共平臺建設(shè)、協(xié)同創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)布局、創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)生態(tài)營造等方面取得豐碩成果。
