武漢長飛先進半導體基地項目正式運營投產(chǎn)。作為目前國內(nèi)規(guī)模最大的碳化硅半導體基地，項目投產(chǎn)后可年產(chǎn)36萬片6英寸碳化硅晶圓，滿足144萬輛新能源汽車制造需求，推動我國第三代半導體實現(xiàn)從跟跑到并跑的關鍵跨越。
項目位于湖北省武漢市，總建筑面積約30.15萬平方米，建設內(nèi)容包括芯片廠房、封裝廠房、外延廠房、動力廠房成品庫及生產(chǎn)調(diào)度大樓等，建成后將助力武漢打造國內(nèi)化合物半導體產(chǎn)業(yè)高地，為湖北加快建成具有全球影響力的科技創(chuàng)新高地貢獻力量。
隨著汽車電動化、人工智能產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展，以碳化硅為代表的第三代半導體材料正迎來發(fā)展的“黃金時代”。與傳統(tǒng)硅相比，碳化硅制成的芯片可在高壓、高溫下穩(wěn)定工作。隨著新能源汽車充電電壓越來越高、充電后續(xù)航里程越來越長，碳化硅成為新能源汽車行業(yè)的“新寵”、全球爭相競逐的產(chǎn)業(yè)新賽道。原因在于碳化硅芯片可使汽車主驅(qū)重量減輕40%、體積減小30%、功率密度提升25%，還能使得能量轉(zhuǎn)換效率提升10%并降低電池成本。
